科研人员将存储芯片容量提升1000倍 誉为“终极储存”

据报道,韩国技术信息部宣布该国研究团队利用可以代替现有DRAM或NAND闪存的新一代候选“铁电体存储器(FRAM)”,将存储芯片的存储容量提高 了1000 倍;同时通过对铁电体物质氧化铪施加3-4V的电压,致使原子之间的力量断裂,每个原子都可以自由移动,从而理论上可将线幅缩小至0.5纳米。

点评:现有半导体的最小线幅为5纳米,此次发现在理论上可以进一步减少到十分之一以下。从而“在相同的空间里储存1000 倍以上的信息”。该项目负责人李准熙教授表示:“在原子中储存信息的技术,在不分裂原子的情况下成为半导体产业终极储存技术的几率很高。”值得注意的是,FRAM是现有的半导体材料,被认为商用化的可能性非常高。

相关上市公司:

上海贝岭:存储芯片已形成系列产品,公司“铁电体存储器芯片”项目被列为国家技术创新重点新产品;

东方锆业:旗下有氧化铪产品。

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